浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响

作     者：湛涛 冯全源 ZHAN Tao;FENG Quanyuan

作者机构：西南交通大学微电子研究所成都611756 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2023年第53卷第5期

页      面：917-923页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(62090012) 

主　　题：屏蔽栅 浮动电极 特征导通电阻 特征栅漏电容 

摘      要：提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构,通过改善电场分布,优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上,仅通过增大外延层掺杂浓度,改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度,最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm^(2)、特征栅漏电容为4.72 pF·mm^(-2)的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比,在击穿电压不变的条件下,浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。