GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响

作     者：于海鑫 王海珠 郎天宇 吕明辉 徐睿良 范杰 邹永刚 YU Haixin;WANG Haizhu;LANG Tianyu;LYU Minghui;XU Ruiliang;FAN Jie;ZOU Yonggang

作者机构：长春理工大学重庆研究院重庆401135 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2023年第44卷第11期

页      面：1967-1973页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：吉林省科技发展计划(20210201089GX) 吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20220769KJ) 重庆市自然科学基金项目(cstc2021jcyj-msxmX1060) 

主　　题：InGaAs/AlGaAs多量子阱 局域态 插入层 金属有机化合物气相外延(MOCVD) 

摘      要：InGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)作为一种常见的Ⅲ-Ⅴ族外延材料,通常应用于半导体激光器和太阳能电池等领域。然而,由于量子阱的势阱层和势垒层生长温度不同,铟原子的偏析和多量子阱生长质量较差等问题尚未得到很好的解决。本文设计了一种砷化镓(GaAs)材料作为插入层(ISL),并用于InGaAs/AlGaAs MQWs的结构。PL、XRD、AFM测试表明,GaAs插入层保证了MQWs结构中更多的辐射复合,阻止了铟原子的偏析。但GaAs插入层的引入也会产生“局域态,影响量子阱的发光性质。本研究可以加深对InGaAs/AlGaAs多量子阱辐射复合机制的理解,并且对引入GaAs插入层的InGaAs/AlGaAs多量子阱发光性质的研究具有重要意义。