重频电磁脉冲对可控硅触发系统的电磁干扰

作     者：冯德仁 姚锋 刘梦菲 何山红 车文荃 熊瑛 FENG Deren;YAO Feng;LIU Mengfei;HE Shanhong;CHE Wenquan;XIONG Ying

作者机构：安徽工业大学电气与信息工程学院马鞍山243032 南京理工大学电子工程与光电技术学院弹道国防科技重点实验室南京210094 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2014年第40卷第9期

页      面：2693-2698页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国防科技重点实验室专项基金(编号略)~~ 

主　　题：重频电磁脉冲 可控硅 电磁干扰 积累效应 共地耦合 操作过电压 

摘      要：针对重频电磁脉冲(EMP)干扰现象,以可控硅门极触发电路为研究对象,进行了门极共地耦合电磁干扰的理论研究,并针对重频EMP环境下可控硅触发的可靠性,分别进行了不同重频EMP数量与不同重频EMP时间间隔下可控硅的触发输出实验。结果表明:重频EMP会影响可控硅的触发,重频EMP数量增多与间隔减小均使可控硅误触发的可能性增大。对比理论分析与实验结果,认为重频EMP干扰是由于重频EMP累积效应与重频EMP高频分量增强从而导致交互作用耦合增强所引起。