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TOPCon太阳电池中多晶硅层磷掺杂工艺的优化及其对电性能的影响

OPTIMIZATION OF PHOSPHORUS DOPING PROCESS FOR POLY-Si LAYER IN TOPCon SOLAR CELLS AND ITS EFFECT ON ELECTRICAL PERFORMANCE

作     者:钱金忠 左克祥 王安 杜东亚 凡金星 高纪凡 Qian Jinzhong;Zuo Kexiang;Wang An;Du Dongya;Fan Jinxing;Gao Jifan

作者机构:国家能源集团常州发电有限公司常州213031 常州天合智慧能源工程有限公司常州213031 天合光能股份有限公司光伏科学与技术国家重点实验室常州213031 

出 版 物:《太阳能》 (Solar Energy)

年 卷 期:2023年第9期

页      面:54-59页

学科分类:08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家重点研发计划(2020YFB1506503) 

主  题:隧穿氧化层钝化接触太阳电池 多晶硅层 磷掺杂 钝化效果 光电转换效率 

摘      要:随着光伏行业的飞速发展,PERC太阳电池技术已无法满足太阳电池光电转换效率的进一步提升,TOPCon太阳电池因具有高光电转换效率,被认为是下一代太阳电池技术的可选方案。针对TOPCon太阳电池的多晶硅层的磷掺杂量、推进温度及推进时间对多晶硅层、硅衬底中磷掺杂特性及电性能参数的影响进行了研究。研究结果显示:在隧穿氧化层及多晶硅层厚度分别设定为1.5和130.0 nm的条件下,磷掺杂参数设置为通源流量为1400sccm、通源时间为25min、推进温度为880℃、推进时间为30min时,既保证了钝化效果,也保证了欧姆接触和寄生吸收在合理的区间,TOPCon太阳电池的光电转换效率达到了最大值,为24.48%。

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