锆酸铅基反铁电薄膜制备及储能行为研究
Preparation and Energy Storage Behavior of Lead Zirconate Based Antiferroelectric Thin Films作者机构:中氢能源科技发展(内蒙古)有限公司内蒙古包头014040
出 版 物:《山西冶金》 (Shanxi Metallurgy)
年 卷 期:2023年第46卷第8期
页 面:26-29页
学科分类:07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
主 题:反铁电体 PLZT(2/97/3) 高能存储
摘 要:采用溶胶-凝胶法在LaNiO_(3)/Si基底上成功制备了Pb_((0.97))La_((0.02))Zr_((0.97))Ti_((0.03))O_(3)反铁电薄膜,研究了薄膜厚度、底电极LaNiO3的结晶温度对PLZT(2/97/3)反铁电薄膜结构及性能的影响,着重考察了这类材料在反铁电-铁电相变过程中能量存储行为。利用XRD分析反铁电薄膜的结构、综合介电性能测试系统来分析反铁电薄膜电性能及铁电综合测试系统测试电滞回线及储能。结果表明:反铁电薄膜都为钙钛矿结构,在250~750 nm的薄膜中薄膜厚度越薄越利于反铁电薄膜的储能;底电极LaNiO_(3)的结晶温度越高(700~900℃),PLZT反铁电薄膜越利于能量的存储。