A flexible magnetoelectric field-effect transistor with magnetically responsive nanohybrid gate dielectric layer

作     者：Nguyen Minh Triet Tran Quang Trung Nguyen Thi Dieu Hien Saqib Siddiqui Do-ll Kim Jai Chan Lee Nae-Eung Lee 

作者机构：SchoolofAdvancedMaterialsScienceandEngineeringSungkyunkwanUniversitySuwonKyunggi-do440-746RepublicofKorea SungkyunkwanUniversity(SKKU)AdvancedInstituteofNanotechnology(SAINT)5ungkyunkwanUniversitySuwonKyunggi-do440-746RepublicofKorea SamsungAdvancedInstituteforHealthSciencesandTechnology(SAIHST)SungkyunkwanUniversitySuwonKyunggi-do440-746RepublicofKorea 

出 版 物：《Nano Research》 (纳米研究（英文版）)

年 卷 期：2015年第8卷第10期

页      面：3421-3429页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 070205[理学-凝聚态物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：supported by the Basic Science Research Program through the National Research Foundation (NRF) funded by the Ministry of Science, ICT and Future Planning 

主　　题：有机场效应晶体管 磁电效应 纳米粒子 介电层 栅极 磁响应 磁场传感器 CoFe2O4 

摘      要：灵活磁电(我) 材料为象存储器，精力 harvesters，和磁场传感器那样的新应用程序被学习了。此处，与广泛地学习了并且我的进步优点 multiferroic 领域里的现象，我们为利用表明一条新途径灵活我是的材料在我的门电介质层能被用于察觉到一个磁场并且自己提取门电介质的 ME 性质的器官的地效果晶体管( ME-OFET )。磁电的 nanohybrid 门电介质层包括 magnetostrictive CoFe 2 O 4 nanoparticles 并且一高度压电 poly (vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene ) 层。当改变磁场适用于时我门电介质，我在功能的门电介质的效果在有效的门领域里由于一个变化调制 ME-OFET 的隧道传导力。在另外的参数的从那些的 ME-OFET 的门电介质层的 ME 回答的清楚的分离用偏导方法的 AC 门被表明并且启用了我的 ME 系数的抽取材料。另外，设备在在 1.2 厘米的 banding 半径的 10,000 个周期的周期的弯曲以后显示出高稳定性。设备为我的内在的描述的抽取有重要潜力不仅材料而且在综合灵活电子系统察觉到一个磁场。