非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响

作     者：苏雪琼 王丽 甘渝林 李宬汉 Su Xueqiong;Wang Li;Gan Yulin;Li Chenghan

作者机构：北京工业大学应用数理学院北京100124 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2014年第26卷第12期

页      面：49-52页

核心收录：

学科分类：07[理学] 082403[工学-水声工程] 08[工学] 070206[理学-声学] 0824[工学-船舶与海洋工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：北京市教育委员会2011年度科技计划重点项目 北京市人才强教深化计划-北京工业大学高层次人才引进及实施项目 

主　　题：透明氧化物半导体 非晶IGZO薄膜 脉冲激光沉积 透明性 电子迁移率 

摘      要：利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。