基于二维半导体的垂直晶体管

作     者：乐志凯 刘潇 李运鑫 刘丽婷 刘渊 Zhikai Le;Xiao Liu;Yunxin Li;Liting Liu;Yuan Liu

作者机构：湖南大学物理与微电子科学学院长沙410082 

出 版 物：《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)

年 卷 期：2023年第68卷第22期

页      面：2901-2910页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(U22A2074 51991341)资助 

主　　题：二维半导体 垂直晶体管 器件结构 器件性能 

摘      要：二维半导体具有原子级薄的体厚度和表面无悬挂键的特点,是实现下一代晶体管微缩的重要候选材料之一.超短沟道的二维水平结构晶体管已通过多种方法成功制备,但通常需要复杂的设备和高精度的制造工艺,并且难以微缩至亚10 nm或亚5 nm的沟道长度.垂直晶体管是一种电流自上而下输运的新型器件结构,其中器件的栅极长度或者沟道长度取决于半导体的厚度而非光刻精度.因此,二维半导体在垂直晶体管中展现出了独特的应用前景.本文综述了基于二维半导体构建垂直晶体管的进展,包括二维垂直晶体管的基本结构、工作机制与器件性能等.