氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展

作     者：刘斯奇 梅云辉 LIU Siqi;MEI Yunhui

作者机构：天津大学材料科学与工程学院天津市南开区300350 天津工业大学电气工程学院天津市西青区300387 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (Proceedings of the CSEE)

年 卷 期：2023年第43卷第13期

页      面：5116-5131页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(52177189,51922075) 天津市科技计划项目(21JCJQJC00150) 

主　　题：GaN高电子迁移率晶体管 功率器件 功率模块 封装技术 杂散电感 散热 可靠性 

摘      要：氮化镓(Ga N)作为典型的宽禁带半导体材料,具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势,封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工作可靠性十分关键。文中首先对比分析Si基、Si C基和Ga N基器件/模块封装的异同,随后从封装杂散电感、封装散热设计和封装连接可靠性3个方面,分别介绍其带来的问题以及解决方案,讨论目前研究可能存在的不足。基于综述分析,最后提出未来Ga N功率器件/模块封装技术亟待解决的问题以及研究展望。