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单端口声表面波谐振器在片去嵌方法分析

Analysis of On-Wafer De-Embedding Method for One-Port SAW Resonator

作     者:韩晓宇 帅垚 吴传贵 罗文博 潘忻强 张万里 HAN Xiaoyu;SHUAI Yao;WU Chuangui;LUO Wenbo;PAN Xinqiang;ZHANG Wanli

作者机构:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都611731 

出 版 物:《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期:2023年第45卷第3期

页      面:342-345页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:去嵌入 SAW谐振器 机电耦合系数 等效电路 集总参数法 

摘      要:为了准确地设计声表滤波器,需要从参考声表面波(SAW)谐振器的测量值中提取精确的材料参数。测量SAW谐振器时,单个谐振器无法直接进行测试,需要引出传输线并使用GSG或GS探针进行测量,消除传输线影响的去嵌入过程对于SAW谐振器材料参数的准确提取非常重要。该文介绍了几种声表面波谐振器的去嵌入技术,包括Open-Short算法、电磁仿真方法、分段等效电路模型方法、集总参数等效电路法。通过实例验证了几种常用的去嵌方法并对其进行了分析。

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