抛光液化学成分对钨化学机械抛光效果的影响研究

作     者：梅广益 张克华 文东辉 Mei Guangyi;Zhang Kehua;Wen Donghui

作者机构：浙江师范大学工学院浙江金华321004 浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部重点实验室杭州310032 

出 版 物：《机械制造》 (Machinery)

年 卷 期：2010年第48卷第12期

页      面：88-91页

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(编号:50705088) 国家重大科学研究计划课题(编号:2006CB932607) 浙江省自然科学基金资助项目(编号:Y1091122) 

主　　题：钨 化学机械抛光 抛光效果 化学成分 

摘      要：化学机械抛光工艺(CMP)能够更好地满足光刻对平坦度的要求,因而被广泛应用于半导体制造工艺中。化学机械抛光液的不同成分将会直接影响到钨的抛光效果,从而影响到超大规模集成电路(ULSI)制备的成品率和可靠性。通过调配不同的氧化剂、蚀刻剂和配位剂组成的抛光液,进行抛光加工实验。当氧化剂和蚀刻剂含量比较低时,随着氧化剂和蚀刻剂的含量增加,抛光效果近似线性的提高,达到一定值以后,随着氧化剂的继续增加,抛光效果反而下降。当氧化剂H2O 2的含量为4%、Fe(N O 3)3浓度为0.05%时抛光效果最佳。使用浓度为20%的2μm的Al2O 3磨粒,抛光最后表面粗糙度Ra能达到0.198 nm。