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横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究

Phase diagrams and magnetization behaviors of transverse random crystal field Ising model

作     者:许玲 晏世雷 Xu Ling;Yan Shi-Lei

作者机构:苏州大学物理系苏州215006 

出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期:2007年第56卷第3期

页      面:1691-1696页

核心收录:

学科分类:0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基  金:江苏省高等学校自然科学重点基金(批准号:03KJA140117) 薄膜材料江苏省重点实验室开放基金(批准号:K2022)资助的课题. 

主  题:横向随机晶场 Ising模型 相图 磁化行为 

摘      要:在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界温度的峰值,正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时,磁有序相范围缩小,特别是晶场比率取-0.5时,随晶场浓度的降低,临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值,不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较.

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