GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
Failure Mechanisms of GaN HEMTs for Microwave Application and Quality Assurance of Space Application作者机构：南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2023年第43卷第2期
页 面：136-146页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：氮化镓 SiC衬底GaN器件 微波功率器件 可靠性 失效机理 高温加速寿命试验(HTOL) 总剂量效应 单粒子效应 低气压放电 宇航应用保障
摘 要：经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可靠性问题的研发历程,整理了GaN HEMT微波器件在各阶段的典型失效模式、失效机理。针对GaN微波器件的宇航应用,描述了与相关技术配套的宇航应用保障体系,以实现其良好的运行及未知风险的控制。
维普期刊数据库
同方期刊数据库