咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >极性相反杂质在硅锭中的抵偿效应研究 收藏

极性相反杂质在硅锭中的抵偿效应研究

COMPENSATION EFFECT RESEARCH OF OPPOSITE POLARITY IMPURITY IN SILICON INGOT

作     者:刘振东 李志涛 高倩倩 刘瑞柱 Liu Zhendong;Li Zhitao;Gao Qianqian;Liu Ruizhu

作者机构:安阳工学院材料科学与工程学院安阳455000 河南盛达光伏科技有限公司安阳456000 

出 版 物:《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期:2023年第44卷第4期

页      面:414-419页

核心收录:

学科分类:080703[工学-动力机械及工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

基  金:国家自然科学基金(118040055) 河南省高校重点科研计划项目(20A480001) 安阳市科技计划项目(2021C01GX008) 

主  题:太阳电池 载流子迁移率 少子寿命 抵偿效应 Scheil方程 太阳能级硅 

摘      要:采用Scheil方程和四探针法、霍尔效应技术、紫外-可见光吸收光谱以及XRD技术分别模拟和测试太阳能硅锭的杂质分布、电阻率、载流子浓度、带隙以及晶体结构,结果表明:若硅料中施主杂质原子浓度小于受主杂质的0.39倍,铸造的p型硅锭不会出现极性反转。由于极性相反杂质间的抵偿效应,在硅锭极性反转处形成p-n结区,少子寿命和体电阻率均达到最大值,且硅锭的晶体结构未发生改变,带隙比特征硅锭的带隙降低25.89%,对此段硅锭切片,可省略后续硅片的“磷扩散过程。利用掺杂剂抵偿技术可制备高效率和低成本的晶硅太阳电池。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分