B掺杂TiO_2/ITO薄膜电极的MOCVD制备及其可见光催化活性研究
Preparation of B-doped TiO_2/ITO Film Electrode by MOCVD and its Visible-Light-Driven Photoelectrocatalytic Properties作者机构:浙江大学化学工程与生物工程学系工业生态与环境研究所浙江杭州310027 中国航天员科研训练中心北京100094
出 版 物:《高校化学工程学报》 (Journal of Chemical Engineering of Chinese Universities)
年 卷 期:2013年第27卷第3期
页 面:488-493页
核心收录:
学科分类:083002[工学-环境工程] 0830[工学-环境科学与工程(可授工学、理学、农学学位)] 081705[工学-工业催化] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:国家自然科学基金(21076188 20836008)
摘 要:采用金属有机物化学气相沉积方法,制备出了具有可见光催化活性的B掺杂TiO2/ITO薄膜电极。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)以及紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis-DRS)分析等方法对所得材料的晶型、组成、化学态和光响应等特性进行了表征。同时,在模拟可见光照射条件下,通过在光电催化反应体系中降解偶氮染料甲基橙的实验,验证和评价了材料的光电催化性能。结果表明:所制备的B掺杂TiO2/ITO纳米薄膜电极在可见光条件下具有良好的光电催化性能,其催化活性在一定范围内(B∶Ti15%(原子比))随着B掺杂量上升而提高。光电催化甲基橙的去除率达到82.7%,并且经过连续实验,证实了材料具有良好的稳定性和可重复使用性。