Pt(S)[n(100)×(110)]表面Cu欠电位沉积(英文)
Underpotential Deposition of Copper on Pt(S)[n(100)×(110)] Stepped Surfaces作者机构：阿利坎特大学电化学研究所西班牙阿利坎特E-03080
出 版 物：《电化学》 (Journal of Electrochemistry)
年 卷 期：2012年第18卷第5期
页 面：410-426页
核心收录：
学科分类：0820[工学-石油与天然气工程] 0808[工学-电气工程] 081704[工学-应用化学] 0817[工学-化学工程与技术] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学]
基 金：supported by the MICINN(Spain)(project CTQ2010-16271) Generalitat Valenciana(project PROMETEO/2009/045,-FEDER)
摘 要：本文研究了Cu在Pt(100)台阶面和(110)单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别对应于不同的沉积位点.较正电位的峰对应于Cu在台阶面上的电沉积,而在台阶处Cu的电沉积则因溶液中的阴离子而具有不同的伏安性质.此外,还发现Pt电极表面的Cu沉积电荷转移数接近2e,且沉积初始阶段阴离子覆盖度不变.
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