碳化硅与氧化铝界面化学稳定性研究
THERMODYNAMIC ANALYSIS OF THE CHEMICAL STABILITY OF SILICON CARBIDE AND ALUMINA INTERFACE作者机构：浙江大学材料与化工学院杭州310027 北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室北京100095
出 版 物：《复合材料学报》 (Acta Materiae Compositae Sinica)
年 卷 期：2002年第19卷第4期
页 面：61-68页
核心收录：
学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金项目 (5 9672 0 3 1) 浙江省自然科学基金 (5 970 0 6) 先进复合材料国防科技重点实验室基金
主 题：碳化硅 氧化铝 界面热力学 化学稳定性 复合材料 陶瓷 化学反应
摘 要：借助最新最权威基本的热力学数据 ,按化学平衡理论 ,分析 Si C和 Al2 O3之间可能发生的化学反应 ,定量计算 Si C中不同 C活度、不同固相产物活度 ,不同温度下 Si C和 Al2 O3间诸反应各气相产物分压和分压总和 ,精确分析 Si C和 Al2 O3界面的热力学稳定性 ,提供一个大气压惰性气体环境 Si C和 Al2 O3界面的热力学失稳判据 ,为Si
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