溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响
Effects of sputtering power on the magnetic properties of M-type barium ferrite films作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054
出 版 物：《磁性材料及器件》 (Journal of Magnetic Materials and Devices)
年 卷 期：2013年第44卷第3期
页 面：4-7页
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(51101028) 中央高校基金资助项目(E022050205)
主 题：BaM薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 c轴取向 磁性能
摘 要：采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造成薄膜内晶粒取向混乱,导致薄膜磁晶各向异性降低;当溅射功率为140W时,薄膜具有最高饱和磁化强度(Ms)303kA/m和最小面外方向矫顽力(Hc⊥)191kA/m;适当低的溅射功率更有利于制得磁晶各向异性强的薄膜。
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