高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响
Effect of High-Temperature Annealing on the Structure of Reactive-Sputtering a-SiC:H Films作者机构：兰州大学物理系兰州730000
出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)
年 卷 期：1997年第12卷第3期
页 面：351-355页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量，研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（SP-a-SiC：H）高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下，退火温度对薄膜结构影响明显，H原子的逸出温度与键合有关，H从CHn中逸出要比从SiHn键中追出需要更高的温度，样品经800℃退火后。
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