半绝缘多晶硅在MOS集成电路上的应用
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1989年第6卷第6期
页 面：12-13页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：半绝缘多晶硅(SIPOS)是一种掺氧多晶硅,其电阻率一般在10~8～10^(10)Ω·cm范围。在半导体器件中,用它取代SiO_2作钝化膜具有良好的钝化作用。本文主要介绍SIPOS钝化技术在MOS集成电路上的应用。
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