正交结构LiGaS_2的合成及表征

作     者：马天慧 杨春晖 孙亮 徐超 陈玉峰 

作者机构：牡丹江师范学院化学化工学院黑龙江牡丹江157012 哈尔滨工业大学化工学院哈尔滨150001 宜宾学院物理与电子工程学院四川宜宾644000 

出 版 物：《材料科学与工艺》 (Materials Science and Technology)

年 卷 期：2012年第20卷第3期

页      面：121-126页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50902027) 牡丹江师范学院青年学术骨干研究项目(G201002) 黑龙江省教育厅青年学术骨干项目(1252G061) 

主　　题：合成 正交结构 硫化镓锂 Raman光谱 

摘      要：为了获得高纯单相LiGaS2多晶原料,采用LiGa与S化合法合成LiGaS2,并与传统的单质直接合成法相对比.利用垂直长石英管作为反应器,采用X射线衍射和Raman光谱对其结构进行表征,同时利用差热–热重分析和紫外光谱对其热性能和光学性能进行研究.研究表明:采用LiGa与S化合法可以获得单相、均一的LiGaS2多晶材料;LiGaS2中的Li–S键平均力常数为fLi-S=16.0 N/m,Ga–S键平均力常数为fGa-S=39.6 N/m;LiGaS2多晶料的熔点为1 020℃,温度低于1 100℃,样品很稳定,没有分解现象;白色样品、黄色样品和灰色样品的紫外吸收边分别为323,435和496 nm.