金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

作     者：黄园媛 石培培 牛巧利 章勇 HUANG Yuan-yuan;SHI Pei-pei;NIU Qiao-li;ZHANG Yong

作者机构：光电子材料与技术研究所华南师范大学广州510631 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2011年第17卷第4期

页      面：350-354页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(No.10904042) 教育部留学回国人员科研启动基金项目 广东省自然科学基金项目(No.8521063101000007) 

主　　题：金属诱导晶化 p型多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 

摘      要：利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜。研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析。结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱。优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10%。