嵌入式闪存器件技术进展

作     者：陈相银 霍宗亮 刘璟 王永 谢常青 刘明 

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2013年第50卷第5期

页      面：269-275,305页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家科技重大专项课题资助项目(2009ZX02302-004) 

主　　题：嵌入式闪存 片上系统(SoC) 分裂栅存储器 电荷陷阱存储器 纳米晶存储器 

摘      要：首先介绍了嵌入式闪存器件的基本工作原理,并根据具体的技术特点和应用整理归纳出了嵌入式闪存器件的三种主流单元结构:单晶体管器件结构、分裂栅器件结构和选择晶体管加存储晶体管的两管器件结构,然后详细分析和比较了这三种器件结构的优缺点。接着进一步重点介绍嵌入式闪存器件近年来的最新发展,列举了传统浮栅器件在65 nm技术代的先进解决方案,并讨论了融合分立电荷陷阱存储概念的新型SONOS和纳米晶存储技术,介绍了该类型技术较之传统浮栅结构的突出优势以及目前的研究进展。最后,对嵌入式闪存技术在32 nm以下节点将遭遇的瓶颈以及进一步发展方向进行分析和展望,给出了可能的解决方案。