用于中波红外探测的InAsP/InAsSb超晶格的MOCVD生长和表征

作     者：怀运龙 朱虹 朱赫 刘家丰 李萌 刘振 黄勇 HUAI Yun-Long;ZHU Hong;ZHU He;LIU Jia-Feng;LI Meng;LIU Zhen;HUANG Yong

作者机构：中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院安徽合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及其应用重点实验室江苏苏州215123 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 中国科学技术大学纳米科学技术学院江苏苏州215123 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2022年第41卷第6期

页      面：995-1001页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(61874179 62074156 11874390) 

主　　题：金属有机化学气相沉积 InAsP/InAsSb超晶格 中波红外 

摘      要：提出了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长无Ga且应力平衡的InAsP/InAsSb超晶格,并探索了其作为红外吸收材料的可行性。首先采用k·p理论计算了InAsP/InAsSb超晶格的带隙,发现其波长调节范围可以从中波红外到长波红外。然后通过MOCVD技术在InAs衬底上生长了InAs_(0.8)P_(0.2)/InAs_(0.7)Sb_(0.3)超晶格。XRD测试结果表明,InAs衬底峰与超晶格零级卫星峰的失配仅61,即基本实现应力平衡;AFM测试材料表面形貌显示5μm×5μm范围内均方根粗糙度为0.4 nm;低温PL光谱显示较强的发光,峰位于3.3μm的中波红外波段,接近设计值。这些结果表明采用MOCVD生长应力平衡的InAsP/InAsSb超晶格作为红外探测材料具有较好的可行性和实用性。