脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

作     者：梁琳 余岳辉 颜家圣 周郁明 Liang Lin;Yu Yuehui;Yan Jiasheng;Zhou Yuming

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 襄樊台基半导体有限公司湖北襄樊441021 

出 版 物：《华中科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2007年第35卷第3期

页      面：1-4页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0810[工学-信息与通信工程] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50277016 50577028) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050487044) 

主　　题：通态电流上升率 反向开关晶体管 短脉冲 开关 

摘      要：基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A.μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.