用于高效DC/DC变换器的沟槽MOSFET
Trench MOSFETs for Efficient DC/DC Converters作者机构：Vishay Siliconix公司 Vishay Siliconix公司
出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)
年 卷 期：2003年第20期
页 面：44-45+3-4页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：MOSFET 瞬态过程 栅极 电极 DC/DC 转换器 变换器
摘 要：面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDS(on)的功率MOSFET能有新进展。如今,一种新颖的厚底层氧化物工艺可以让Crss减小为栅极结构器件相应参数的一半,从而大大减少了器件导通所需的栅电荷,缩短了功率MOSFET的开关瞬态过程,同时让导通电阻保持在一个极低的水平上。这一技术对DC/DC变换器来说,意味着电路工作效率将得以提高。
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