氧化钽薄膜的结构、成份和介电性能研究
Structure,Composition and Dielectric Characterization of Tantalum Peroxide Film作者机构：广东工业大学材料与能源学院广州510006
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2008年第37卷第3期
页 面：684-688页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构、成份和介电性能的影响。XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响。900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位。
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