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基于离子束溅射法制备的负温度系数Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4)薄膜热敏电阻

Negative Temperature Coefficient Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4) Thin Film Thermistor Prepared by Ion Beam Sputtering Method

作     者:武绍宽 邓勇生 潘婷 戚云娟 高波 薛小婷 李莹 Wu Shaokuan;Deng Yongsheng;Pan Ting;Qi Yunjuan;Gao Bo;Xue Xiaoting;Li Ying

作者机构:中国航天科技集团公司四院四十四所西安710025 

出 版 物:《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期:2022年第59卷第12期

页      面:1383-1387页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:热敏电阻 负温度系数(NTC) 离子束溅射 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4)薄膜 热敏薄膜 

摘      要:随着当前传感器的小型化和集成化趋势热敏薄膜材料受到广泛关注。为制备电阻率低、温度性能稳定的负温度系数(NTC)热敏电阻,以Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4)为研究对象,通过离子束溅射法在硅晶圆上制备热敏电阻薄膜,使用真空退火炉进行退火,成功制备出热敏电阻。采用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构和形貌进行表征,并用恒温槽、数字万用表等对样品进行电学性能测试。结果表明采用离子束溅射法可以获得粒径小、致密和均匀性好的低电阻率热敏电阻薄膜,薄膜电阻率降低至2.18×10^(-3)Ω·cm,25℃下电阻为81.635Ω,在0~100℃测试温区内,制备的热敏薄膜材料具有明显的负温度特性。

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