Cr^(3+)掺杂LiScSi_(2)O_(6)近红外荧光粉的荧光性能及pc-LED器件研究

作     者：陈雪花 胡贞华 CHEN Xuehua;HU Zhenhua

作者机构：韶关学院智能工程学院广东韶关512005 韶关学院信息工程学院广东韶关512005 

出 版 物：《光学技术》 (Optical Technique)

年 卷 期：2022年第48卷第6期

页      面：668-673页

学科分类：081702[工学-化学工艺] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：中国高校产学研创新基金(2020ITA02048) 

主　　题：近红外 荧光粉 铬 宽带 荧光转换发光二极管 

摘      要：红外荧光粉是制备基于蓝光芯片宽带近红外光源的关键。采用高温固相法制备了LiScSi_(2)O_(6):Cr^(3+)近红外荧光粉样品并制备了相应的pc-LED器件,详细研究了样品的光致发光特性及pc-LED的性能。荧光粉在460nm蓝光激发下产生中心波长为850nm,半高宽约为156nm的宽带近红外光谱。在温度为160℃时,发光峰的强度下降为室温下的75.38%。把粉体涂覆在InGaN蓝光芯片(P_(max)=5W)表面制备的近红外pc-LED,得到最大近红外光输出功率为436.7mW@300mA,最大电光转化效率为18.3%@1mA。采用pc-LED作为红外光源,隐藏在油墨下的文字信息清晰可见,表明该红外荧光粉可用于制备基于蓝光芯片的宽带红外光源,且在夜视和信息防伪领域有良好的应用前景。