水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究

作     者：崇乐 栗旭阳 蔡长龙 梁海锋 裴旭乐 弥谦 喻志农 CHONG Le;LI Xuyang;CAI Changlong;LIANG Haifeng;PEI Xule;MI Qian;YU Zhinong

作者机构：西安工业大学光电工程学院西安710021 北京理工大学光电学院北京100081 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2022年第43卷第5期

页      面：861-866页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61874009,11975177) 兵器工业联合基金项目 陕西省重点研发计划项目(2020GY-045) 

主　　题：IGZO-TFT 水基溶液法 紫外光辅助退火 偏压稳定性 

摘      要：采用水基溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),研究了在有无紫外光辅助退火条件下,不同后退火温度(270,300,330,360和400℃)对IGZO-TFT器件电学性能的影响。研究发现,IGZO-TFT在后退火温度为360℃时器件电学性能最佳,从而证明了水基溶液法在小于400℃的低温下可以制备IGZO-TFT。同时,研究表明,在后退火温度为360℃时,与无紫外光辅助退火IGZO-TFT相比,经紫外光辅助退火IGZO-TFT的饱和迁移率从1.19cm^(2)/Vs增加到1.62cm^(2)/Vs,正栅偏压偏移量从8.7 V降低至4.6 V,负栅偏压偏移量从-9.7 V降低至-4.4 V,从而证明了紫外光辅助退火对IGZO薄膜具有激活与钝化作用,可以优化IGZO-TFT器件的电学性能。