超大带宽高频XBAR谐振器研究

作     者：俞振一 郭瑜 傅肃磊 苏荣宣 李百川 张帅 徐惠平 潘峰 王为标 YU Zhenyi;GUO Yu;FU Sulei;SU Rongxuan;LI Baichuan;ZHANG Shuai;XU Huiping;PAN Feng;WANG Weibiao

作者机构：江南大学物联网工程学院江苏无锡214122 无锡市好达电子股份有限公司江苏无锡214124 清华大学材料学院北京100084 上海师范大学信息与机电工程学院上海200234 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2022年第44卷第5期

页      面：700-703页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080904[工学-电磁场与微波技术] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2020YFB0408900) 国家自然科学基金资助项目(52002205) 

主　　题：XBAR谐振器 高频率 超大带宽 5G通信 寄生模式 

摘      要：随着第五代移动通信(5G)时代的到来,高频、大带宽的谐振器成为通信行业的迫切需求。该文设计制备了一款可实现高频超大带宽的横向激发体声波谐振器(XBAR)。该谐振器A1模式的谐振频率为5.81 GHz,机电耦合系数可达39.6%,Q-3 dB为248;A3模式的谐振频率高达17.04 GHz,机电耦合系数为7.0%。该谐振器A1和A3模式的频率温度漂移系数(TCF)分别为-72.6×10^(-6)/℃和-38.5×10^(-6)/℃。此外,该文还提出了一种新型叉指电极(IDT)结构,该结构可以抑制寄生模式,提升谐振器性能。