微波退火下钛调制镍与P型锗的固相反应
Ti Interlayer Mediated the Ni/P-Ge Solid-state Reactions at Low-temperature Microwave Annealing作者机构:上海工程技术大学数理与统计学院上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室上海200050
出 版 物:《材料科学与工程学报》 (Journal of Materials Science and Engineering)
年 卷 期:2022年第40卷第5期
页 面:756-761页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:以P型单晶锗为衬底,研究了镍/钛/锗系统在微波退火中的反应。通过薄层电阻测试(R_(sh)),原子力显微镜(AFM),拉曼光谱(Raman),截面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线光谱(EDX)等表征手段对退火后形成的镍锗化物的形貌和界面微观结构进行了表征。结果表明,与常规快速热退火相比,通过微波退火特殊的加热机制和钛插入层的调制作用,可以在250℃的低温条件下在P型锗(100)衬底上制备具有均匀光滑界面的镍锗化物薄膜。微波退火可以在锗化过程中代替常规快速热退火。