Sn-Ge改性BCZT无铅压电陶瓷的结构与性能

作     者：江平 张静 褚涛 李政权 钟敏 郭亚雄 JIANG Ping;ZHANG Jing;CHU Tao;LI Zhengquan;ZHONG Min;GUO Yaxiong

作者机构：中国振华集团新云电子元器件有限责任公司贵州贵阳550025 贵州振华红云电子有限公司贵州贵阳550025 贵州大学材料与冶金学院贵州贵阳550025 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2022年第44卷第4期

页      面：513-515,520页

学科分类：1002[医学-临床医学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：贵阳市科技局基金资助项目(1-16) 

主　　题：无铅压电陶瓷 锆钛酸钙钡(BCZT) 微观结构 电性能 

摘      要：采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.09)Ti_(0.91-2x)Sn_(x)Ge_(x))O_(3)(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构,没有明显的第二相产生,但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加,其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时,该体系的居里温度最高(为122℃)。