Ag电化学迁移引发肖特基二极管烧毁的失效机理分析

作     者：徐晟 王宏芹 牛峥 李洁森 甘卿忠 XU Sheng;WANG Hongqin;NIU Zheng;LI Jiesen;GAN Qingzhong

作者机构：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局广东广州510663 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2022年第45卷第2期

页      面：272-276页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081704[工学-应用化学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：湿热运行环境下二次元件状态感知策略研究项目(CGYKJXM20190090) 

主　　题：电化学迁移 肖特基二极管 失效分析 芯片 Ag枝晶 

摘      要：在阐述银电化学迁移机理的基础上,利用体视显微镜、晶体管图示仪、光学显微镜、X射线检测系统及扫描电子显微镜等技术手段,系统分析了智能电表中肖特基二极管的电化学失效原因。结果表明:二极管芯片正面局部区域遭受了S污染,并发生了Ag电化学迁移现象;芯片边缘析出了Ag枝晶,导致芯片发生短路烧毁,二极管最终失效。本工作的研究成果为电子封装互连焊点中的电化学迁移导致的失效分析提供实践参考。