GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

作     者：刘丽媛 郑林挺 石高明 林晓玲 来萍 陈选龙 LIU Liyuan;ZHENG Linting;SHI Gaoming;LIN Xiaoling;LAI Ping;CHEN Xuanlong

作者机构：工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2022年第42卷第2期

页      面：146-149,162页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：广东省重点领域研发计划资助项目.(2020B010173001) 

主　　题：GaAs集成电路 金属化缺陷 光发射显微镜 光致电阻变化 失效分析 

摘      要：介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。