光刻技术中的聚焦控制

作     者：李世光 郭磊 曾海峰 戢逸云 王寅 肖燕青 Li Shiguang;Guo Lei;Zeng Haifeng;Ji Yiyun;Wang Yin;Xiao Yanqing

作者机构：中国科学院大学集成电路学院北京100049 中国科学院微电子研究所成果转化部北京100029 江苏影速集成电路装备股份有限公司江苏徐州221300 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2022年第59卷第9期

页      面：270-286页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：江苏省科技成果转化专项资金(BA2021033) 

主　　题：光刻 焦深 聚焦控制 良率 离焦误差 调焦调平 

摘      要：光刻技术中的聚焦控制对曝光质量有直接的影响。曝光过程中,为保证良率,曝光区域需要时刻处于焦深范围内。通过建立数学模型,探讨了光刻机系统总离焦量与产品良率的关系,而光刻机的总离焦量又是多种离焦误差共同作用的结果。研究了先进的双工件台光刻系统和应用于掩模板制造的数字微反射镜装置光刻系统的工作流程,分析了与聚焦控制密切相关的若干离焦误差。在诸多误差因素当中,调焦调平传感器对总离焦量有着重要影响,光刻机的聚焦控制很大程度依赖于调焦调平传感器的准确测量。对Canon、Nikon和ASML的调焦调平传感器进行了调研,对比研究各自的传感器原理和结构,为光刻机的聚焦控制分析提供参考。