空位对Cu/Sn焊点中Cu_(3)Sn层元素扩散的影响

作     者：任二花 李晓延 张虎 韩旭 REN Erhua;LI Xiaoyan;ZHANG Hu;HAN Xu

作者机构：北京工业大学材料与制造学部北京100124 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2022年第41卷第4期

页      面：381-386页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(51975013)。 

主　　题：扩散 空位 Cu_(3)Sn 扩散系数 分子动力学模拟 

摘      要：为了探究温度和空位浓度对Cu_(3)Sn层中各元素扩散行为的影响,基于分子动力学方法,使用LAMMPS软件模拟了Cu_(3)Sn层上空位浓度以及温度对各元素扩散系数的影响。结果表明,Cu_(3)Sn层各元素的扩散系数均随温度的升高而增大。与不含空位相比,当Cu_(3)Sn层中存在10%空位时,原子运动更加剧烈,扩散系数增大。进一步研究发现,在一定的温度下(900 K),空位含量增大,扩散系数随之增大。然而,空位含量变化不如温度对扩散系数的影响大。最后,在相同条件下,Cu1和Cu2原子的扩散系数相差不大,且均大于Sn的扩散系数,Cu_(3)Sn层中的主要扩散元素是Cu。