SiC功率模块封装技术及展望

作     者：蔡蔚 杨茂通 刘洋 李道会 Cai William;Yang Maotong;Liu Yang;Li Daohui

作者机构：哈尔滨理工大学电气与电子工程学院哈尔滨150080 哈尔滨理工大学材料学院哈尔滨150080 上海蔚来汽车有限公司上海201805 

出 版 物：《汽车工程》 (Automotive Engineering)

年 卷 期：2022年第44卷第4期

页      面：638-647页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(U21A20145)资助 

主　　题：功率模块 模块封装 失效机理 双面散热 烧结封装 银烧结技术 寄生参数 

摘      要：SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响,直接覆铜(DBC)的陶瓷基板中陶瓷层的面积和高度对寄生电容的影响,以及采用叠层换流技术优化寄生参数等成果;综述了双面散热结构的缓冲层厚度和形状对散热指标和应力与形变的影响;汇总了功率模块常见失效机理和解决措施,为模块的安全使用提供参考。最后探讨了先进烧结银技术的要求和关键问题,并展望了烧结封装技术和材料的发展方向。