熔盐电解精炼制备太阳能级多晶硅
Preparation of Solar Grade Silicon by Electrorefining作者机构:东北大学材料与冶金学院辽宁沈阳110819 昆明理工大学冶金与能源工程学院云南昆明650031
出 版 物:《东北大学学报(自然科学版)》 (Journal of Northeastern University(Natural Science))
年 卷 期:2012年第33卷第12期
页 面:1741-1744页
核心收录:
学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学]
主 题:熔盐电解精炼 NaF-KF混合共晶熔盐 冶金硅 太阳能级多晶硅 纯度
摘 要:采用熔盐电解精炼技术在物质的量比为1∶1的NaF-KF混合共晶熔盐中对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅.采用SEM和ICP-MS对熔盐电解精炼后产物硅进行表征.考察了熔盐电解精炼过程中电压、温度、时间对冶金硅中主要杂质去除率的影响.在2.0 V,1 073 K条件下,冶金硅阳极经电解精炼400min后,精炼产物形貌为线状,直径主要分布在50~150nm之间,长度达到几十微米.冶金硅中主要金属杂质的去除率在92%以上,B,P杂质的去除率分别为92.1%和97.6%,产物硅的纯度达到99.999%.