从安全工作区探讨IGBT的失效机理
The failure mechanism of IGBT based on SOA作者机构：北京时代新晨电子技术有限公司
出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)
年 卷 期：2006年第4卷第5期
页 面：50-53页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极-发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。
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