1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础
A percolation simulation of the ESD latent damages in MOSFET作者机构：西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071
出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)
年 卷 期：2002年第29卷第5期
页 面：575-579页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (696710 0 3 )
主 题：MOSFET 静电 潜在损伤 无损检测 1/f噪声 逾渗
摘 要：分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱浓度的关系 ,得出了与实验相一致的定性结果 ,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流 1/f噪声检测方法提供了理论依据 .
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