量子涨落与过掺杂铜氧化物超导薄膜中的反常两段标度

作     者：陶勇 TAO Yong

作者机构：西南大学经济管理学院重庆北碚区400715 

出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)

年 卷 期：2022年第51卷第2期

页      面：314-320页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：平均场近似 过掺杂铜氧化物超导薄膜 量子涨落 库珀电子对的虚时相对论方程 

摘      要：通过引入虚时间变量,将绝对零度附近的金兹堡−朗道方程推广为一个精确的相对论方程。基于该方程所建立的虚时量子场论,描述过掺杂铜氧化物超导材料在绝对零度附近的量子临界现象。利用虚时量子场论框架,理论推导出在La_(2-x)Sr_(x)CuO_(4)超导薄膜的过掺杂区域所观测到的零温超流相位刚度与相变温度之间的反常两段标度,且理论计算结果与实验测量值吻合良好。该研究推测:处于绝对零度附近的过掺杂超导薄膜中,零温相干长度与相变温度也服从一个两段标度,理论得到的两个临界指数1和1.34有待实验的检验。