非定向氧化锌纳米线阵列的场发射

作     者：陈亮 张耿民 王鸣生 

作者机构：北京大学信息科学技术学院电子学系北京100871 

出 版 物：《北京大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis)

年 卷 期：2005年第41卷第5期

页      面：774-779页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(60471008 60171025 60128101) 国家973项目(2001CB610503)资助 

主　　题：氧化锌纳米线 场发射 场发射中心分布 屏蔽效应 

摘      要：使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列。经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点。在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20nm之间。考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在500℃以下。然后测量了这些非定向ZnO纳米线阵列的场发射特性。在5.5V·μm-1场强下得到了10μA·cm-2的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布。