μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池中i层的设计分析
Analyses of the i Layer Design in Complete μcSi∶H pin Thin Film Solar Cells作者机构：中国科学技术大学物理系
出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)
年 卷 期：1997年第20卷第4期
页 面：1-5页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层中Ｎ型或Ｐ型掺杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（８００ｎｍ）载流子收集效率。
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