等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究
Facet Antireflection Coatings Deposited by PECVD作者机构：清华大学深圳研究生院 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2004年第25卷第5期
页 面：380-383,387页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家"973"计划资助项目(G2000-03-6601) 国家"863"计划资助项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 )
主 题：减反射膜 等离子体增强化学气相沉积 低反射率
摘 要： 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量。在此基础上,制作了1.31μmInGaAsP氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6.8×10-4,并且具有很好的可重复性。
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