用相干刻蚀制作大面积的二维纳米阵列(英文)
Using Interferometric Lithography to Make Large-area Two-dimensional Nanoarrays作者机构：天津大学精密仪器和光电子工程学院天津300072 美国西北大学物理与天文学系埃沃斯顿il60208
出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)
年 卷 期：2003年第14卷第10期
页 面：1054-1057页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：WorksupportedbyNaturalScienceFoundationofChina(699870 0 2 ) 699780 1 5
摘 要：采用多级激光扩束获得大面积的均匀光场分布,利用相干刻蚀(IL)技术,制作了大面积(3.23cm2)的二维(2D)周期阵列结构,如光栅和栅格,并以此阵列制备出空间周期为300nm的金属Ag、Au和磁性材料Ni的点阵结构。
维普期刊数据库
同方期刊数据库