Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）

作     者：沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 

作者机构：南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial ScienceUniversity of Tokyo 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2001年第22卷第Z1期

页      面：57-60页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) 国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) 国家高技术研究和发展项目 日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~ 

主　　题：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 AlxGa1-xN/GaN 

摘      要：通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。