Room Temperature Ferromagnetism in Ga1-xHoxN （x=0.0 and 0.05） Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films

作     者：Ghulam Murtaza Rai Muhammad Azhar Iqbal Yong-bing Xu lain Gordon Will Qasim Mahmood 

作者机构：Department of Physics University of the Punjab Lahore 54590 Pakistan Spintronics Laboratory Department of Electronics The University of York York Y010 5DD UK 

出 版 物：《Chinese Journal of Chemical Physics》 (化学物理学报（英文）)

年 卷 期：2012年第25卷第3期

页      面：313-317,373,374页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：the Higher Education commission Government of Pakistan 

主　　题：半导体薄膜 铁磁性 房间温度 振动样品磁强计 X射线衍射 纤锌矿结构 钬掺杂 成分分析 

摘      要：做的钬轧了冲淡的磁性的半导体薄电影被退火的热蒸发技术和随后的氨准备了。X 光检查衍射大小表明所有山峰属于完全六角形的 wurtzite 结构。表面形态学和作文分析被扫描电子显微镜学和精力执行散光谱学分别地。房间温度 Ga1xHoxN 的铁磁性的性质(x=0.0， 0.05 ) 电影用颤动被分析在房间温度的样品磁强计。磁性的大小证明 undoped 拍摄(即轧) 展出抗磁的行为，当惊讶做(Ga0.95Ho0.05N ) 电影展出了铁磁性的行为时。