IGBT芯片静态输出曲线连续测量方法

作     者：彭程 李学宝 杨艺烜 姚兆民 王克胜 赵志斌 代安琪 唐新灵 崔翔 Peng Cheng;Li Xuebao;Yang Yixuan;Yao Zhaomin;Wang Kesheng;Zhao Zhibin;Dai Anqi;Tang Xinling;Cui Xiang

作者机构：新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)北京102206 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司)北京102209 国网山西省电力公司检修分公司太原030032 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2022年第47卷第1期

页      面：70-76页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家电网有限公司总部科技项目(5500-202058400A-0-0-00) 

主　　题：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 静态输出曲线 连续法 电导调制效应 温升效应 

摘      要：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一。现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题。亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法。面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响。通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线。通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性。