热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征

作     者：涂洁磊 林理彬 陈庭金 章晨静 吴长树 施光顺 Tu Jielei 1,2 ,Lin Libin 1,Chen Tingjin 2,Zhang Chenjing 2,Wu Changshu 2, Shi zhaoshun 2 (1. Physics Department, Physics and Technology of Radiation Key Laboratory of State Education Ministe, Sichuan University, Chengdu 610064, China;2. Solar Energy Research Institute, Yunnan Normal University, Kunming 650092, China)

作者机构：四川大学物理系国家教育部"辐射物理及技术"重点实验室 云南师范大学太阳能研究所昆明650092 云南师范大学太阳能研究所 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2003年第24卷第1期

页      面：14-17页

核心收录：

学科分类：080703[工学-动力机械及工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

基　　金：国家自然科学基金项目 ( 5 99660 0 2 ) 

主　　题：太阳电池 GaAs薄膜 Si或SnO2/glass衬底 

摘      要：该文介绍以Si和SnO2 / glass两种材料为衬底 ,采用热壁外延方法 ,制得GaAs多晶薄膜。采用电子探针 (EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌 ,x射线衍射 (XRD)分析薄膜的结构情况。结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构 ,初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料。